Tongke Electronic Co., Ltd. ist einer der zuverlässigsten Hersteller und Lieferanten von PDFN5-Mosfets in China. Bitte zögern Sie nicht, langlebige PDFN5-Mosfets hier in unserer Fabrik im Großhandel zu verkaufen. Alle Produkte sind von hoher Qualität und niedrigem Preis. Für ein Angebot kontaktieren Sie uns jetzt.
CTKG100N10DF5 100V/100A N-Kanal-Leistungs-MOSFET|Produktdetails
CTKG100N10DF5 100V/100A
PDFN5X6-8L N-Kanal-Split-Gate-Leistungs-MOSFET
Massenproduktion|Automotive-Bewertungsprüfung
CTKG100N10DF5ist ein Hochstrom-N--Leistungs-MOSFET, der für Mittel-{2}Spannungs-, Hoch--Leistungsumwandlungs- und Laststeuerschaltungen entwickelt wurde. Es vereint einen extrem niedrigen Leitungswiderstand mit optimierter Schaltleistung. Jede Einheit durchläuft100 % UIS-LawineUndVds dynamische SpannungAbschirmung, die eine stabile elektrische Leistung und eine hervorragende Überspannungsimmunität für Verbraucherenergiespeicher, Elektrowerkzeuge, industrielle Steuerungen und Kfz-Hilfsstromgeräte gewährleistet. Untergebracht in einem kompakten oberflächenmontierbaren PDFN5×6-8L-Gehäuse- dient es als zuverlässiger Drop-in-Ersatz für importierte Leistungs-MOSFETs.
Grundlegende elektrische Spezifikationen
Absolute Höchstbewertungen (TJ=25 Grad)
| Drain-Quellenspannung VDS | 100V | Gate-Quellenspannung VGS | ±20V |
| Kontinuierlicher Abflussstrom ID | 100A (TC=25 Grad); 60A (TC=100 Grad) |
Gepulster Drainstrom IDM | 400A |
| Einzelimpuls-Lawinenenergie EALS | 144 mJ | Verlustleistung PD | 147W |
| Kreuzung-zu-Fall RθJC | 0,85 Grad /W | Betriebs- und Lagertemp | -55 Grad ~ 150 Grad |
Hauptmerkmale
RDS(ein)typ. 6.5mΩ (VGS=10V)
Qgnur 29 nC, niedrige Miller-Ladung
tAn=8.4ns, taus=27ns
Körperdiode trr=45ns, Qrr=53nC
Wichtige elektrische Eigenschaften (TJ=25 Grad
Vorteile des PDFN5×6-8L-Pakets
Mehrpolige parallele Stromverteilung- Vier parallel angeordnete D-Pins oben und S-Pins unten reduzieren parasitäre Induktivität und Lötstellenerwärmung.
Großes freiliegendes Wärmeleitpad- Volles-Unterpolster mit RθJC=0.85 Grad /W, direkte Wärmeübertragung auf die Leiterplatte.
Anti-Rückwärtsmontage- PIN1-Punktmarkierung verhindert SMT-Fehlplatzierung.
Universelle Branchenpräsenz-Standard-PDFN5×6-8L-Pad-Layout, direkter Ersatz für Konkurrenzteile.
SMT-freundlich- Kompatibel mit schnellem-Bestücken-und-platzieren, ausgezeichnete Reflow-Ausbeute.
Überprüfung der Fabrikzuverlässigkeit
CTKG100N10DF5 wird durchlaufen100 % Inspektionfür zwei kritische Tests:
UIS (Ungeklemmtes induktives Schalten)- überprüft die Toleranz der Lawinenenergie einzelner-Impulse gegen induktiven Rückschlag.
ΔVds dynamische Spannungsbelastung- prüft latente dielektrische Defekte, um einen Durchschlag in der-Lebensdauer zu verhindern.
EALSBis zu 144 mJ sorgen für eine robuste Immunität gegen transiente Überspannungen und verlängern die MTBF der Ausrüstung.
Hauptanwendungsszenarien
Lastschaltkreise
Tragbares Kraftwerk / Li-ion PACK-Hauptschalter
Multi-Port PD-Schnellladegerät-Strompfad
BMS-Überstrom-/Kurzschlussschutz
Hot-Austausch von industriellen Steuerplatinen
PWM-Hochfrequenzkonvertierung-
Synchrone Buck/Boost-DC-DC-Wandler
PV-Energiespeicher-Wechselrichter
BLDC-Motor-Low-{0}}Antriebe
Servotreiber
Industrie- und Automobilenergie
AC-DC-Industrie-/Kommunikationsnetzteile
Niederspannungs-Hilfsverteilung für Kraftfahrzeuge
USV-Notstromschleifen
Hochleistungs-LED-Treiber/Schweißhilfsmittel
Bestell- und Verpackungsinformationen
Stabile Massenproduktion, kostengünstige -effektive Alternative zu MOSFETs anderer Marken.
Zusammenfassung der Produktauswahl
CTKG100N10DF5Integriert eine Spannungsfestigkeit von 100 V, einen Dauerstrom von 100 A, einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand von 6,5 mΩ und die Split-Gate-Trench-Technologie, kombiniert mit einem thermisch optimierten PDFN5×6-8L-Gehäuse und einer 100-prozentigen Zuverlässigkeitsabschirmung. Für Hardware-Ingenieure werden dadurch zentrale Probleme wie übermäßige Erwärmung, Überspannungsschwäche und begrenzter Platz auf der Leiterplatte gelöst. Bei der Beschaffung optimieren standardisierte Verpackungen, pin-kompatibler Ersatz und eine stabile Lieferung die Lieferkette und senken die Stücklistenkosten. Der bevorzugte Hochleistungs-N-Leistungs-MOSFET für die Massenproduktion von Verbraucherenergiespeichern, Elektrowerkzeugen, Industriesteuerungen und Kfz-Stromversorgungsgeräten.
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